منابع سوئیچینگ IGBT
ShahBaz | پنجشنبه, ۱۲ شهریور ۱۳۹۴، ۰۹:۰۳ ب.ظ
کامل تست شده است و قابل اجرا می باشد
تعریف منابع سوئیچینگ :
معرفی سیستمهای جدید برای تغذیه مدارات قدرت است.
این منابع تغذیه کاملاً خطی عمل می نمایند. این نوع منابع را منابع تغذیه سوئیچینگ می نامند. این اسم از نوع عملکرد این سیستمها گرفته شده است. به این منابع تغذیه اختصاراً SMPS نیز می گویند. این حروف بر گرفته شده از نام لاتین Switched Mode Power Supplies است.
راندمان SMPS بصورت نوعی بین 80% الی 90% است که 30% تا 40% آنها در نواحی خطی کار می کنند. خنک کننده های بزرگ که منابع تغذیه رگوله قدیمی از آنها استفاده می کردند، درSMPSها دیگر به چشم نمی خورند و این باعث شده که از این منابع تغذیه بتوان در توانهای خیلی بالا نیز استفاده کرد.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده می شود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور، دیگر خطی عمل نمی کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می نماید. به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از المان کم مصرف Power MOSFET استفاده می شود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد می شود. المان جدیدی به بازار آمده که تمامی مزایای دو قطعة فوق را در خود جمع آوری نموده است و دیگر معایب BJT و Power MOSFET را ندارد. این قطعة جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از IGBT استفادة زیادی شده است.
لیست المان های استفاده شده در این منبع :
لینک مرجع
تعریف منابع سوئیچینگ :
معرفی سیستمهای جدید برای تغذیه مدارات قدرت است.
این منابع تغذیه کاملاً خطی عمل می نمایند. این نوع منابع را منابع تغذیه سوئیچینگ می نامند. این اسم از نوع عملکرد این سیستمها گرفته شده است. به این منابع تغذیه اختصاراً SMPS نیز می گویند. این حروف بر گرفته شده از نام لاتین Switched Mode Power Supplies است.
راندمان SMPS بصورت نوعی بین 80% الی 90% است که 30% تا 40% آنها در نواحی خطی کار می کنند. خنک کننده های بزرگ که منابع تغذیه رگوله قدیمی از آنها استفاده می کردند، درSMPSها دیگر به چشم نمی خورند و این باعث شده که از این منابع تغذیه بتوان در توانهای خیلی بالا نیز استفاده کرد.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده می شود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور، دیگر خطی عمل نمی کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید می نماید. به همین سبب در فرکانس کلید زنی بالا از المان کم مصرف Power MOSFET استفاده می شود. اما با بالا رفتن قدرت، تلفات آن نیز زیاد می شود. المان جدیدی به بازار آمده که تمامی مزایای دو قطعة فوق را در خود جمع آوری نموده است و دیگر معایب BJT و Power MOSFET را ندارد. این قطعة جدید IGBT نام دارد. در طی سالهای اخیر به دلیل ارزانی و مزایای این قطعه از IGBT استفادة زیادی شده است.
لیست المان های استفاده شده در این منبع :
کد:
LISTA DE COMPONENTES
CONDENSADORES
C1 6800µ 63V
C2 6800µ 63V
C3 10µ 50V
C4 100µ 50V
C5 100n 50v
C6 100n 50v
C7 10µ 50V
C8 3µ3 100V
C9 3µ3 100V
C10 2200µ 63V
C11 3µ3 100V
C12 2200µ 63V
C13 2200µ 63V
C14 3µ3 100V
RESISTENCIAS
R1 0.01 20W*ver texto
R2 470 1/4w
R3 1k5 1/4w
R4 4.7 1/4w
R5 4.7 1/4w
R6 4.7 1/4w
R7 470 1/4w
R8 1K 2W
R12 10k NTC *ver texto
SEMICONDUCTORES
D1 BY255
D2 BZX79-C15 15v 0.5W ZENER
D3 BZV48C20 20V 5W ZENER
D4 BYS28-90
D5 LED NARANJA 5M.M
D6 BYV28-600
D7 BYS28-90
D8 BYV28-600
F1 *ver texto
F2 *ver texto
F3 *ver texto
T1 IRFP250
VR1 7812
COMPONENTES VARIOS
FS1 fusible de automoción 6A-7A
L1 10µH *ver texto
2 radiadores de calor TO220
4 separadores metálicos 45m.m
5 separadores metálicos 6 m.m
2 bornas de 2 contactos tornillo a PCB
1 radiador calor TO247 65x50x15 m.mلینک مرجع
